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       存储器PSRAM(pseudo SRAM)，称之为伪静态随机存取器。它具有SRAM的接口协议：给出地址、读写指令，就可以实现数据的存取；相比DRAM的实现，它不需要复杂的memory controller来控制内存单元去定期刷新数据，但是它的内核架构却是DRAM架构；传统的SRAM是由6个晶体管构成一个存储cell，而psram则是由1个晶体管+一个电容构成一个存储cell，因此psram可以实现较大的存储容量；

基于上述分析，新出现的存储器psram相比传统存储器具有如下优点：

1. 更大的带宽：串行psram通过八路串行接口对外互联，最高在200MHz Double-Data-Rate速率下，可实现超3Gbps的带宽传输；

2. 更高的容量：目前可实现存储容量有：32M、64M、256M，这比市面上其他串行接口随机

存储器的容量要大很多；

3. 更低的成本：串行psram采用DRAM架构，可以有效压缩芯片体积，故串行psram生产成本接近DRAM成本；

4. 更小的尺寸：串行psram的低引脚数封装与传统的RAM存储相比，具有尺寸更小、成本更低等优势；

5. 更广的应用：psram采用的是自行刷新（Self-Refresh），不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据；而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此psram相比传统RAM会有更广的应用；

PSRAM作为常用的一种外设存储设备，所具有的优点使其广泛被应用。